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碳化硅材料的種類多種多樣,并且,應用于各個領域。但是,要想通過碳化硅的合理應用,充分發(fā)揮其作用,首先要了解碳化硅的基本信息。為使大家對碳化硅有更深入的了解,本文將主要針對碳化硅的物理性能進行概述和介紹。
1.碳化硅材料的導熱系數(shù)和線膨脹系數(shù)。碳化磚是一種耐火材料,具有優(yōu)良的抗熱震性。這種現(xiàn)象特別表現(xiàn)在其熱導率和線膨脹系數(shù)都很小。通常,工程計算上,以6.28~9.63W.M-1.K-1為碳化硅的熱導率。這個數(shù)值大約是剛玉熱導率的4倍。碳化硅的平均線膨脹系數(shù)在25~1400℃,比4.4×l0-6K-1小得多;剛玉的線膨脹系數(shù)為(7~8)×l0-6K-1。
2.導電性。碳化硅材料是一種半導體,根據雜質在晶體中的加入類型和加入量的不同,其導電性能也會發(fā)生變化,電阻率為10-2-1012Ω·cm。在這些雜質中,對碳化硅導電性能影響較大的是鋁、氮、硼,并且含鋁量越高,其導電性能越好。隨著電場強度的增加,碳化硅的導電性能迅速增加,并呈現(xiàn)出非線性變化特征。在制造防雷器閥片時,使用了碳化硅的這個特性。
3.碳化硅的電阻率。SiC的電阻率隨溫度變化,但在一定的溫度范圍內,其電阻特性與金屬的溫度特性相反。硅片的電阻率與溫度的關系比較復雜。隨著溫度的升高,碳化硅材料的導電率出現(xiàn)峰值,并持續(xù)升高溫度,導電率又逐漸降低。